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高功率元件應用研發聯盟-企業學生實習計畫

高功率元件應用研發聯盟-企業學生實習計畫

  • 計畫說明

  高功率元件應用研發聯盟成立於2015年11月30日,主要目的為建構「高功率元件應用」新興產業體系,邀請半導體長晶及磊晶、元件設計及製程、模組封裝、產品應用等國內上、中、下游廠商共同成立。藉此產業聯盟之經營,已逐步形成互相分享創新技術、產業發展、創意發想、策略研討等之資訊交流平台,共同累積新興產業核心研發能量,合力建構符合國家未來發展需要之產、官、學、研環境,並以互信、共榮為合作機制之基底,協力開拓市場新商機。

  由於近年本聯盟會員數增長至65家,產業需求大幅增加,使得廠商間橫向交流與溝通、學校與業界間之人才培育等需求增加,為協助我國功率電子廠商瞭解我國各大專院校於功率電子相關之實驗室分布及技術能量,同時鼓勵人才多元發展,投入下世代半導體之產業,本聯盟提出「高功率元件應用研發聯盟-企業學生實習計畫」,進而挖掘人才,達到產學間人才銜接之效果。

  • 實習期間:實習期間由實習生與實習單位協調。
  • 實習生申請資格規定:
  1. 應具備中華民國國籍
  2. 全國大專院校大學生及碩、博士生(含111學年度畢業)
  3. 實習結束後需配合計畫回填實習回饋單(附件2)
  • 實習單位申請方式與相關應備文件:
  1. 有意申請者請將申請文件傳送至d33581@tier.org.tw信箱,信件主旨為「高功率元件應用研發聯盟-企業學生實習計畫_姓名」
  2. 申請文件:(1)實習生申請表 (2)履歷 (3)英語或其他能力證明資料 (4)教授推薦函

 

聯絡人:
黃小姐 (02)2586-5000#875 / d33581@tier.org.tw

鄧小姐 (02)2586-5000#810 / d33899@tier.org.tw


 

實習單位招募資訊

單位名稱

加拿大商氮化鎵系統有限公司R&D Power Discrete

簡介

1.GaN power device development

2. Foundry process tuning, device chacterization optimization

3.Supplier chain spec definiation

需求單位/

職稱

R&D/Device Engineer

詳細工作內容

1.GaN power test key measurement

2.Data analysis on test key vs fab DOE

3.Paper study with corresponding fab DOE

4.Understand design house daily work

徵求條件/

專長/

需求技能

1.MS or PhD in GaN power related field

2.Hands-on experience with analytical test equipment such as Semiconductor Analyzers, Signal Generators, Power Supplies, DMMs, Oscilloscopes and Curve Tracer

3.Familiar with statistical analysis tool, such as JMP, Mintab, etc

需求人數

2

工作地點

新竹市金山八街一號八樓

提供研習相關

軟硬體設備

Bl506, JMP

提供企業

實習津貼

328元/每人/每時

其他

每週2個下午

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